[发明专利]一种具有多重垒层LED外延结构

摘要

一种具有多重垒层LED外延结构，涉及发光二极管技术领域。本发明从下至上依次包括图形化衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述有源区包括阱层和多重垒层。多重垒层包括In_XGa_1-XN层、GaN层和Al_yGa_1-yN层三层。在生长蓝光LED过程中，生长有源区时，多重垒层和阱层交替生长。同现有技术相比，本发明采用多重垒层结构，通过改变垒层高度、提高晶体质量、释放应力，从而提高辐射复合几率达到增强LED出光效率的目的。

主权项

一种具有多重垒层LED外延结构，它从下至上依次包括图形化衬底（1）、AlN缓冲层（2）、U型GaN层（3）、N型GaN层（4）、有源区、电子阻挡层（7）和P型GaN层（8），其特征在于：所述有源区包括阱层（5）和多重垒层（60），多重垒层（60）包括In_XGa_1‑XN层（601）、GaN层（602）和Al_yGa_1‑yN层（603）三层，在生长蓝光LED过程中，生长有源区时，多重垒层（60）和阱层（5）交替生长。