[发明专利]带防反射膜的基材的制造方法及光电池有效
| 申请号： | 201310256586.3 | 申请日： | 2013-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN103515457B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 箱嶋夕子;松田政幸;村口良;小松通郎 | 申请（专利权）人： | 日挥触媒化成株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 冯雅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及带防反射膜的基材的制造方法及光电池。本发明提供硬度高且裂纹、擦伤等的发生得到抑制的带防反射膜的基材的制造方法。该带防反射膜的基材由形成于基材上的高折射率层、和形成于该高折射率层上的低折射率层构成，所述制造方法包括下述的工序(a)～(e)(a)在基材上涂布分散液，该分散液是包含1～1000ppm的碱性氮化合物、且折射率在1.50～2.40的范围内的高折射率金属氧化物粒子的分散液；(b)在低于碱性氮化合物的沸点的温度下除去分散介质；(c)涂布低折射率层形成成分分散液；(d)在除去分散介质后，(e)在120～700℃下进行加热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 基材 制造 方法 光电池 | ||
【主权项】：
带防反射膜的基材的制造方法，该带防反射膜的基材由形成于基材上的高折射率层、和形成于该高折射率层上的低折射率层构成，其特征在于，该制造方法依次具备下述的工序(a)～(e)：(a)在基材上涂布分散液的工序，该分散液是包含1～1000ppm的碱性氮化合物、且折射率在1.50～2.40的金属氧化物粒子的分散液；(b)在低于所述碱性氮化合物的沸点的温度下除去所述分散液的分散介质的工序；(c)涂布低折射率层形成成分分散液的工序；(d)在50℃～120℃下干燥，除去所述低折射率层形成成分分散液的分散介质的工序，(e)在120～700℃下对所述基材进行加热的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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