[发明专利]硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅组件及其制作方法有效
| 申请号： | 201310254596.3 | 申请日： | 2013-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN104253129B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 杨进盛;陈建宏 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 贾静环 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是揭露一种硅‑氧化物‑氮化物‑氧化物‑硅(SONOS)组件，包含基底；第一氧化层设于该基底上；富硅陷补层(silicon‑rich trapping layer)设于该第一氧化层上；含氮层设于该富硅陷补层上；富硅氧化层(silicon‑rich oxide layer)设于该含氮层上；以及多晶硅层设于该富硅氧化层上。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 氮化物 组件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅‑氧化物‑氮化物‑氧化物‑硅组件，包含：基底；第一氧化层设于该基底上；富硅陷补层设于该第一氧化层上，其中该富硅陷补层包含氮化硅层以及设于该氮化硅层上的富硅层，其中该富硅层为富硅氮化硅层或富硅氮氧化硅层；含氮层设于该富硅陷补层上；富硅氧化层设于该含氮层上；以及多晶硅层设于该富硅氧化层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
