[发明专利]一种铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 201310252932.0 | 申请日： | 2013-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN103320861A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 代丽;焦珊珊;钱钊;李大勇;林家齐;王喜明 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/04;C30B33/04 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 牟永林 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及一种掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。本发明是要解决现有的镱铥掺杂的铌酸锂晶体抗光损伤能力较低的问题。本发明一种铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体由Nb2O5、LiCO3、In2O3、Yb2O3和Tm2O3制成。制备方法：一、混合；二、采用提拉法生长晶体；三、极化；即得到铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体。本发明制备的铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体光洋度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生，在保证了镱铥掺杂的铌酸锂晶体原有优良性能的同时抗光损伤能力显著提高；本发明铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体的制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快。本发明可用于制备铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铟镱铥三 掺杂 铌酸锂 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体，其特征在于铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体由Nb2O5、LiCO3、In2O3、Yb2O3和Tm2O3制成；其中所述LiCO3中的Li与Nb2O5中的Nb的摩尔比为0.946∶1；所述的In2O3的物质的量占Nb2O5、LiCO3、In2O3、Yb2O3和Tm2O3总物质的量的0.5％～4％；所述的Yb2O3的物质的量占Nb2O5、LiCO3、In2O3、Yb2O3和Tm2O3总物质的量的0.5％；所述的Tm2O3的物质的量占Nb2O5、LiCO3、In2O3、Yb2O3和Tm2O3总物质的量的0.5％。
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