[发明专利]减少熔丝尖刺的修调结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种减少熔丝尖刺的修调结构，包括半导体衬底；介质层；形成于介质层上的修调熔丝具有一修调电阻、两探针接触垫及分别用于连接修调电阻和探针接触垫的过渡区，过渡区中具有减少修调电阻熔丝尖刺的修调刻开区；形成在修调熔丝和介质层上的钝化层中分别具有修调刻开区处的释放窗口、修调电阻处和探针接触垫处的压点窗口。本发明还提供减少熔丝尖刺的修调结构的制造方法，利用金属的电迁移特性，使修调刻开区可以改善电迁移和温度引起的熔丝尖刺异常现象，并由此减少后道工艺水汽、聚合物残留，解决由此熔丝尖刺导致的封装失效，机械应力问题，减少成品测试和使用中芯片功能失效和封装等可靠性风险。

主权项

一种减少熔丝尖刺的修调结构，包括：一半导体衬底；一介质层，形成于所述半导体衬底上；一修调熔丝，由熔丝淀积形成于所述介质层上，所述修调熔丝具有一修调电阻、两探针接触垫，以及分别用于连接修调电阻和探针接触垫的过渡区，所述过渡区中具有减少修调熔丝尖刺的修调刻开区；以及一钝化层，形成在所述修调熔丝和介质层上，所述钝化层中分别具有对应所述修调刻开区处的释放窗口、对应所述修调电阻处的压点窗口以及对于所述探针接触垫处的压点窗口。