[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法，氧化物薄膜晶体管设有固定设置于氧化物半导体层的裸露面表面的表面自主装单分子层。表面自主装单分子层是通有机溶剂、无机溶剂处理、烷烃硫醇、烷基或苯基取代的三乙氧基硅烷处理所述氧化物半导体层的表面获得的。其制备方法包括通过旋涂、滴涂或浸泡的方法在氧化物半导体层的裸露面表面制备表面自主装单分子层，可采用有机溶剂、无机溶剂处理、烷烃硫醇、烷基或苯基取代的三乙氧基硅烷处理所述氧化物半导体层的表面获得。本发明的氧化物薄膜晶体管具有稳定性好，制备方法具有工艺简单、成本低廉的特点。

主权项

一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于：设置有表面自主装单分子层，通过旋涂、滴涂或浸泡的方法在氧化物半导体层的裸露面表面制备表面自主装单分子层使得所述表面自主装单分子层固定于氧化物半导体层的裸露面表面；所述表面自主装单分子层是通有机溶剂处理所述氧化物半导体层的表面获得的；所述有机溶剂为甲醇、甲苯、二甲苯、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、六甲基磷酰三胺、氧化吡啶或酮类中的任意一种；或者所述表面自主装单分子层是通过烷烃硫醇处理所述氧化物半导体层的表面获得的；或者所述表面自主装单分子层通过烷基或苯基取代的三乙氧基硅烷处理所述氧化物半导体层的表面获得的；所述氧化物薄膜晶体管还设置有基板、栅极、绝缘层、源极和漏极；所述栅极位于所述基板之上，所述绝缘层位于所述栅极之上，所述氧化物半导体层、所述源极和所述漏极位于所述绝缘层之上，所述表面自主装单分子层位于所述氧化物半导体层的上表面，所述源极和所述漏极相互间隔并分别与所述氧化物半导体层或所述表面自主装单分子层的两端电性相接；所述的氧化物半导体层的材料为ZnO；所述氧化物半导体层的材料为ZnO中掺入In、Ga、Sn、Cd、Al、Si、Ni、Ta、W、Hf、Y、Ti、La、Nd、Ce、Pr、Pm、Sm、Eu中的任意一种或两种以上元素。