[发明专利]硼-镓共掺高效多晶硅及其制备方法无效
申请号: | 201310249116.4 | 申请日: | 2013-06-21 |
公开(公告)号: | CN103361724A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 黄新明;张兆玉;明亮;顾海泉;钟根香 | 申请(专利权)人: | 东海晶澳太阳能科技有限公司;南京工业大学 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B28/06 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 李海波 |
地址: | 222300 江苏省连*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种硼-镓共掺高效多晶硅,含有浓度为1×1014~2×1016cm-3的硼或磷,以及浓度为1×1016~2×1018cm-3的金属镓,所述硼-镓共掺高效多晶硅的光致衰减率低于0.5%。还公开了上述硼-镓共掺高效多晶硅制备方法,该硼-镓共掺高效多晶硅,其电池转换效率高,而光致衰减率低于业内普通多晶硅电池片的光致衰减率。该制备方法工艺简便、易操作、成本低、可规模化生产。可用于制造高效率的薄片太阳能电池,由于硅晶体中硼-镓共掺的作用,大大降低或避免了硼氧复合体的产生,降低了电池的光致衰减,在光照下具有很好的稳定性,是高效率太阳能电池的理想材料。 | ||
搜索关键词: | 镓共掺 高效 多晶 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种硼‑镓共掺高效多晶硅,其特征是:含有浓度为1×1014~2×1016 cm‑3的硼或磷,以及浓度为1×1016~2×1018 cm‑3的金属镓,所述硼‑镓共掺高效多晶硅的光致衰减率低于0.5%。
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