[发明专利]大规模集成电路加速器单粒子试验中粒子注量率选择方法有效
| 申请号： | 201310247474.1 | 申请日： | 2013-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN103323715A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 于庆奎;罗磊;祝名;张磊;孙毅;唐民 | 申请（专利权）人： | 中国空间技术研究院 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 安丽 |
| 地址： | 100194 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 大规模集成电路加速器单粒子试验中粒子注量率选择方法，具体为：判断所述大规模集成电路内部是否采DICE设计，若采用了DICE设计，则按ASTMF1192标准规定，对所述大规模集成电路采用高注量率辐照；否则通过大规模集成电路所使用的程序判断所述大规模集成电路是否采用TMR，若采用了TMR，则对所述大规模集成电路采用低注量率辐照，否则通过大规模集成电路所使用的程序判断所述大规模集成电路是否采用EDAC，若采用了EDAC，则对所述大规模集成电路采用低注量率辐照，否则对所述大规模集成电路采用高注量率辐照。本发明比以往只用高注量率辐照，提高了辐照评估准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 大规模集成电路 加速器 粒子 试验 注量率 选择 方法 | ||
【主权项】：
大规模集成电路加速器单粒子试验中粒子注量率选择方法，其特征在于步骤如下：（1）判断所述大规模集成电路内部是否采DICE设计，若采用了DICE设计，则按ASTM F1192标准规定，对所述大规模集成电路采用高注量率辐照；否则进入步骤（2）；（2）通过大规模集成电路所使用的程序判断所述大规模集成电路是否采用TMR，若采用了TMR，则对所述大规模集成电路采用低注量率辐照，否则进入步骤（3）；（3）通过大规模集成电路所使用的程序判断所述大规模集成电路是否采用EDAC，若采用了EDAC，则对所述大规模集成电路采用低注量率辐照，否则对所述大规模集成电路采用高注量率辐照。
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