[发明专利]电激发光显示面板的像素结构有效
申请号: | 201310246574.2 | 申请日: | 2013-06-20 |
公开(公告)号: | CN103441136A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 黄师轩;李孟庭 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;王颖 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种电激发光显示面板的像素结构,包括多个反射电极分别设置于对应的像素区内、一空穴层、一发光层以及一半穿透半反射电极。反射电极设置于不同的水平面上。空穴层设置于反射电极上并具有平坦上表面,其中该空穴层至少包括一第一共用部分,设置于第一像素区与第二像素区之间。发光层设置于空穴层上,且半穿透半反射电极设置于发光层上。不同的像素区具有不同的共振腔长度。 | ||
搜索关键词: | 激发 显示 面板 像素 结构 | ||
【主权项】:
一种电激发光显示面板的像素结构,其特征在于,设置于一基板上,该基板包括一第一像素区、一第二像素区与一第三像素区,该电激发光显示面板的像素结构包括:一第一反射电极,设置于该基板的该第一像素区内;一第二反射电极,设置于该基板的该第二像素区内;一第三反射电极,设置于该基板的该第三像素区内,其中该第一反射电极、该第二反射电极以及该第三反射电极设置于不同的水平面上;一空穴层,设置于该第一反射电极、该第二反射电极以及该第三反射电极上,其中该空穴层具有一平坦上表面;一发光层,设置于该空穴层上;以及一半穿透半反射电极,设置于该发光层上,其中在该第一像素区内,该半穿透半反射电极与该第一反射电极之间形成一第一微共振腔,在该第二像素区内,该半穿透半反射电极与该第二反射电极之间形成一第二微共振腔,在该第三像素区内,该半穿透半反射电极与该第三反射电极之间形成一第三微共振腔,且该第一微共振腔、该第二微共振腔与该第三微共振腔具有不同的共振腔长度,其中该空穴层至少包括一第一共用部分,设置于该第一像素区与该第二像素区之间,该空穴层至少连续分布于该第一像素区与该第二像素区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的