[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片MQS发光层无效
| 申请号： | 201310246068.3 | 申请日： | 2013-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN103311390A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 芦玲;张向飞;钱仁海;刘坚 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人： | 谢观素 |
| 地址： | 223000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片MQS发光层，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、MQW发光层（4）以及P型GaN层（5），其特征在于：所述MQW发光层（4）包括GaN超晶格层（41）、InGaN超晶格层（42）,所述GaN超晶格层（41）厚度为11nm,InGaN超晶格层（42）厚度为3nm，该技术方案有效解决传统外延片的MQS发光层在生长过程中的厚度问题，导致发光二极管的亮度通常较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 mqs 发光 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基发光二极管外延片MQS发光层，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、MQW发光层（4）以及P型GaN层（5），其特征在于：所述MQW发光层（4）包括GaN超晶格层（41）、InGaN超晶格层（42）, 所述GaN超晶格层（41）厚度为11nm,InGaN超晶格层（42）厚度为3nm。
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