[发明专利]浸没式光刻机浸没流场维持装置及方法有效
申请号: | 201310245125.6 | 申请日: | 2013-06-19 |
公开(公告)号: | CN104238274B | 公开(公告)日: | 2016-12-28 |
发明(设计)人: | 朱树存 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 屈蘅,李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供了一种浸没式光刻机浸没流场维持装置及方法,该装置设于浸没头与硅片之间,在浸没头、硅片及浸没式光刻机的物镜之间的空间中填充有供浸没式光刻所用的浸液,所述光刻机浸没流场维持装置包括光电导层、第一绝缘层,依次设置于所述浸没头表面;第二绝缘层,设置于所述硅片表面,所述硅片表面与所述浸没头表面相对;偏置激励电压,施加于所述光电导层与所述硅片之间,于所述浸液两端产生外加激励电压;所述光电导层、第一绝缘层、浸液、第二绝缘层、硅片和偏置激励电压形成一个电压回路,并基于光电润湿原理,通过对该电路中所述曝光场区域内浸液两端的外加激励电压的变化控制实现浸液的表面张力和接触角的控制,进而实现浸液维持。 | ||
搜索关键词: | 浸没 光刻 维持 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种浸没式光刻机浸没流场维持装置,设置于浸没头与硅片之间,在所述浸没头、硅片及浸没式光刻机的物镜之间的空间中填充有供浸没式光刻所用的浸液,所述光刻机浸没流场维持装置包括:光电导层、第一绝缘层,依次设置于所述浸没头表面;第二绝缘层,设置于所述硅片表面,所述硅片表面与所述浸没头表面相对;偏置激励电压,施加于所述光电导层与所述硅片之间,于所述浸液两端产生外加激励电压;所述光电导层、第一绝缘层、浸液、第二绝缘层、硅片和偏置激励电压形成一个电压回路,通过控制所述浸液两端的外加激励电压来控制所述浸液的表面张力和接触角;所述光刻机浸没流场维持装置还包括一个光电极发生与空间寻址单元,通过所述光电极发生与空间寻址单元将一光电极图案投射在所述光电导层和所述硅片上实现所述电压回路中光敏阻抗的变化,从而实现所述浸液两端的外加激励电压的变化控制。
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