[发明专利]一种真空断路器触头分合闸位置检测的方法与装置有效

专利信息
申请号: 201310244608.4 申请日: 2013-06-20
公开(公告)号: CN104241008B 公开(公告)日: 2017-03-22
发明(设计)人: 侯春光;王兴华;赵洋;曹云东 申请(专利权)人: 沈阳工业大学
主分类号: H01H33/66 分类号: H01H33/66;G01B7/00
代理公司: 沈阳亚泰专利商标代理有限公司21107 代理人: 韩辉
地址: 110870 辽宁省沈阳市沈阳经济*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种真空断路器触头分合闸位置检测的方法与装置,该方法是由于真空断路器触头分合时,屏蔽罩上的电容会发生改变,通过检测真空断路器表面屏蔽罩位置的铜箔感应电场大小,来计算屏蔽罩电容值的大小,从而确定触头的分合闸位置;该装置由铜箔、电场传感器、检测处理单元组成,所述铜箔贴附于真空断路器表面,且与屏蔽罩等高,铜箔经导线接在检测处理单元的输入端。本发明给出的检测方法通过检测真空断路器表面屏蔽罩位置的感应电场数值来间接获取真空断路器灭弧室内的触头的分合闸位置,给出的检测装置结构简单、使用方便、成本低且测量灵敏度高。
搜索关键词: 一种 真空 断路器 触头分 合闸 位置 检测 方法 装置
【主权项】:
一种真空断路器触头分合闸位置检测的方法,其特征在于:利用真空断路器触头分合时屏蔽罩上的电容会发生改变,将铜箔贴附于真空断路器外表面的屏蔽罩位置,当真空断路器灭弧室内触头运动时会使灭弧室屏蔽罩上的电容值发生变化,则铜箔上的感应电场也会相应变化,通过测量铜箔的电场值即可确定真空断路器触头的分合闸位置,具体的测量步骤为:将铜箔与真空断路器外表面贴合,并调节其位置与灭弧室内的屏蔽罩等高,检测处理单元检测铜箔上的感应电场值,当真空断路器灭弧室内触头运动时,会使灭弧室内的屏蔽罩上的电容值发生变化,则铜箔上的感应电场也会相应变化,通过测量真空断路器外表面屏蔽罩位置的铜箔的电场值变化,确定真空断路器触头的分合闸位置,即设触头合闸时,铜箔上的感应电场值为U 1,触头分闸时,铜箔上的感应电场值为U 2,判断分合闸裕度为k %,触头动作时,检测到的铜箔上的电场值为U ,则:(1)当时,认为触头成功合闸;(2)当时,认为触头成功分闸;(3)当时,认为出现机械故障原因导致触头分闸失败。
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