[发明专利]电阻变化存储器及电阻变化器件的成形方法

摘要

本公开涉及电阻变化存储器及电阻变化器件的成形方法。电阻变化存储器具有电阻变化器件以及用于控制对电阻变化器件的电压施加的控制电路。电阻变化器件具有第一电极、第二电极以及置于第一电极与第二电极之间的电阻变化层。第二电极的材料包括选自W、Ti、Ta及它们的氮化物中的一种材料。在电阻变化器件的成形期间，控制电路接续第一成形处理执行第二成形处理。第一成形处理包括施加电压使得第一电极的电位高于第二电极的电位。第二成形处理包括施加电压使得第二电极的电位高于第一电极的电位。

主权项

一种电阻变化存储器，包括：电阻变化器件，具有第一电极、第二电极以及置于所述第一电极与所述第二电极之间的电阻变化层，以及控制电路，用于控制对所述电阻变化器件的电压施加，其中所述第一电极的材料与所述第二电极的材料不同，所述第二电极的材料包括选自包括W的氮化物、Ti的氮化物和Ta的氮化物的组中的一种材料，所述控制电路在所述电阻变化器件的成形中执行接续第一成形处理的第二成形处理，所述第一成形处理包括施加电压使得所述第一电极的电位高于所述第二电极的电位，以及所述第二成形处理包括施加电压使得所述第二电极的电位高于所述第一电极的电位，其中所述第一电极的氧化物形成自由能低于所述第二电极的氧化物形成自由能。