[发明专利]一种CdTe/PbTe异质结界面二维电子气结构有效
| 申请号： | 201310237234.3 | 申请日： | 2013-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN103413827A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 吴惠桢;蔡春锋;金树强;张兵坡 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L31/072 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 唐银益 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明具体涉及一种CdTe/PbTe异质结界面二维电子气结构。本发明是一种CdTe/PbTe异质结界面二维电子气结构，所述的二维电子气结构是CdTe沿其晶体的极性面（111），（100）和（211）生长在PbTe表面上或PbTe生长在CdTe晶体的极性面（111），（100）和（211）上，其界面由于电荷转移形成高浓度二维电子气。本发明的CdTe/PbTe界面二维电子气是由异质结极性界面特性产生的，它不需要人为掺杂，它不仅具有高的电子密度，而且还具有高的电子迁移率，例如77K温度下的电子迁移率是块体CdTe材料三倍多。利用高的电子密度和高迁移率特性，可以提高晶体管的功率和速度；可以降低CdTe太阳电池中CdTe与金属的接触电阻；可以增强窄带隙半导体红外发光的强度，效果十分明显。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cdte pbte 异质结 界面 二维 电子 结构 | ||
【主权项】：
一种CdTe/PbTe异质结界面二维电子气结构，其特征在于，所述的二维电子气结构是CdTe沿其晶体的极性面（111），（100）和（211）生长在PbTe表面上或PbTe生长在CdTe晶体的极性面（111），（100）和（211）上，其界面由于电荷转移形成高浓度二维电子气。
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