[发明专利]具有沟道背面钝化层器件的FinFET和方法有效
| 申请号： | 201310236959.0 | 申请日： | 2013-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN104037227B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 戈本·多恩伯斯;马克范·达尔;乔治斯·威廉提斯;布兰丁·迪里耶;克里希纳·库马尔·布瓦尔卡;查理德·肯尼斯·奥克斯兰德;马丁·克里斯多夫·霍兰德;施奕强;马提亚斯·帕斯拉克 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 具有背面钝化层的FinFET包括设置在衬底上的模板层、设置在模板层上方的缓冲层、设置在缓冲层上方的沟道背面钝化层以及设置在沟道背面钝化层上方的沟道层。栅极绝缘层设置在沟道层和沟道背面钝化层上方并且与沟道层和沟道背面钝化层接触。缓冲层可选地包含铝，以及沟道层可以可选地包含III‑V族半导体化合物。STI可以设置在沟道背面钝化层的相对侧上，并且沟道背面钝化层可以具有在STI的顶面之上设置的顶面以及在STI的顶面之下设置的底面。本发明还提供了一种具有沟道背面钝化层器件的FinFET和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟道 背面 钝化 器件 finfet 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：模板层，设置在衬底上；缓冲层，设置在所述模板层上方；沟道背面钝化层，设置在所述缓冲层上方；沟道层，设置在所述沟道背面钝化层上方；以及栅极绝缘层，设置在所述沟道层和所述沟道背面钝化层上方并且与所述沟道层和所述沟道背面钝化层相接触，所述沟道背面钝化层将所述缓冲层与所述栅极绝缘层分开；以及设置在所述沟道背面钝化层、所述缓冲层和所述模板层的相对侧上的浅沟槽隔离结构(STI)，所述沟道层设置在所述浅沟槽隔离结构的顶面之上，并且所述沟道背面钝化层的顶面设置在所述浅沟槽隔离结构的顶面之上，并且所述沟道背面钝化层的底面设置在所述浅沟槽隔离结构的顶面之下。
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