[发明专利]一种含本征层的双面高效异质结电池及其制造方法无效
申请号: | 201310236312.8 | 申请日: | 2013-06-14 |
公开(公告)号: | CN103346195A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | 张东升;赵会娟 | 申请(专利权)人: | 国电光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/076 | 分类号: | H01L31/076;H01L31/077;H01L31/20 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 214213 江苏省无锡市宜兴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种含本征层的双面高效异质结电池,该电池结构由下而上依次包括背电极、第一ITO层、非晶N+层、第一本征层、第一绒面层、N型单晶硅基片、第二绒面层、量子点结构氮化硅层、第二本征层、非晶P层、第二ITO层和正电极。本发明的N型高效异质结电池,其结构简单,本征层能够起到很好的钝化作用,减小界面态和悬挂键,从而提高开路电压和短路电流,转换效率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 双面 高效 异质结 电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种含本征层的双面高效异质结电池,其特征在于:该电池结构由下而上依次包括背电极(1)、第一ITO层(2)、非晶N+层(3)、第一本征层(4)、第一绒面层(5)、N型单晶硅基片(6)、第二绒面层(7)、量子点结构氮化硅层(8)、第二本征层(9)、非晶P层(10)、第二ITO层(11)和正电极(12)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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