[发明专利]防止硅片边缘黏附层脱落的方法有效
| 申请号： | 201310234820.2 | 申请日： | 2013-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN104241120B | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 吕淑瑞 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/768 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种防止硅片边缘黏附层脱落的方法，其包括如下步骤准备硅片，该硅片经过通孔形成工艺在二氧化硅层中形成通孔；将硅片放置在270～330℃的温度下的氮气或惰性气体环境中热处理；在硅片上淀积黏附层。上述防止硅片边缘黏附层脱落的方法在淀积黏附层之前先对硅片进行热处理来使在硅片上淀积黏附层时含氟二氧化硅层中的氟元素不容易析出，从而使黏附层能够很好的附着在含氟二氧化硅层上，避免黏附层脱落，提高产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 硅片 边缘 黏附 脱落 方法 | ||
【主权项】：
一种防止硅片边缘黏附层脱落的方法，其特征在于，所述防止硅片边缘黏附层脱落的方法包括如下步骤：准备硅片，所述硅片包括形成于含氟二氧化硅层上方的不含氟二氧化硅层，含氟二氧化硅层形成于衬底上；所述硅片经过通孔形成工艺在硅片中形成通孔，其中，所述通孔形成于含氟二氧化硅层和不含氟二氧化硅层中；将硅片放置在270～330℃的温度下的氮气或惰性气体环境中热处理，所述热处理为27～33分钟；在硅片上淀积黏附层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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