[发明专利]一种用于薄膜太阳能电池的铜铟硫硒粉体或薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种用于薄膜太阳能电池的铜铟硫硒粉体或薄膜的制备方法；该方法是先将氯化铜和氯化铟分散于有机溶剂中，超声分散后得到分散液；在所得分散液中加入硫化钠和硒粉后，搅拌均匀，得到混合液；再将所述混合液转移至反应釜中，定容、密封后反应，反应完成后，抽滤，将滤渣先后用去离子水和无水乙醇洗涤，真空干燥，得到CuIn(S,Se)2粉体；或者是将所述混合液移至反应釜中，再加入玻璃基底，定容、密封后，液相沉积，将沉积得到的玻璃基底先后用去离子水和无水乙醇洗涤，真空干燥，得到CuIn(S,Se)2薄膜；该方法采用的设备简单；生产的CuIn(S,Se)2粉体、薄膜性能优良，稳定性好，可实现工业化生产；并能通过控制S元素的含量，可以使得CuIn(S,Se)2的带隙在1.21～1.45eV之间连续可调。

主权项

一种用于薄膜太阳能电池的铜铟硫硒粉体或薄膜的制备方法，其特征在于，先将氯化铜和氯化铟分散于有机溶剂中，超声分散后得到分散液；在所得分散液中加入硫化钠和硒粉后，搅拌均匀，得到混合液；将所述混合液转移至反应釜中，定容、密封后，在160～220℃下反应，反应完成后，抽滤，将滤渣先后用去离子水和无水乙醇洗涤，真空干燥，得到CuIn(S,Se)2粉体；或者是将所述混合液移至反应釜中，再加入玻璃基底，定容、密封，在160～220℃下液相沉积，将沉积得到的玻璃基底用去离子水和无水乙醇洗涤，真空干燥，得到CuIn(S,Se)2薄膜。