[发明专利]电熔丝结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201310231978.4 | 申请日： | 2013-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104241246B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L23/528;H01L21/768;H01L21/335;H01L29/772;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了电熔丝结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法。其中，在电熔丝结构的形成方法中，先在半导体衬底上形成纳米线，之后刻蚀部分厚度的衬底，使所述纳米线凸起于半导体衬底表面，再在所述纳米线的两端掺杂离子，以形成电熔丝结构。上述技术方案方法简单，形成的电熔丝结构新颖，实现了形成的电熔丝结构的多样性。 | ||
| 搜索关键词： | 电熔丝 结构 及其 形成 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成第一纳米线和第二纳米线；刻蚀部分厚度的所述半导体衬底，使所述第一纳米线和第二纳米线凸起于半导体衬底，且所述第一纳米线和第二纳米线的两端均由半导体衬底支撑，中间部分与所述半导体衬底之间均具有间隔；形成包覆所述第一纳米线表面的栅极结构；在第一纳米线的两端进行离子掺杂，形成全包围栅晶体管的源极和漏极；向所述第二纳米线的两端进行离子掺杂，形成电熔丝结构的阴极和阳极，所述第二纳米线上阴极和阳极之间的区域为熔断区。
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