[发明专利]图形化衬底及其制造方法、LED芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 201310231360.8 | 申请日： | 2013-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN103337576A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 艾常涛;侯想;王汉华;靳彩霞;董志江 | 申请（专利权）人： | 武汉迪源光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种图形化衬底及其制造方法、LED芯片及其制造方法。该图形化衬底为：所述图形化衬底为蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上具有周期性交替排列的沟槽和凸起图形，所述凸起图形与所述沟槽之间具有平台阶。本发明的图形化衬底，是由两种或两种以上单一图形组合而成的复合图形，可以有效降低GaN外延生长的位错密度，提高内量子效率，同时由于本发明的图形衬底光反射面增多，可以加强光的散射，使有源层发出的光经过衬底后反射，增加出光几率；另外，在生长GaN的时候，沟槽里面GaN无法填满，会形成空隙，可以进一步增加光的反射。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 衬底 及其 制造 方法 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种图形化衬底，其特征在于，所述图形化衬底为蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上具有周期性交替排列的沟槽和凸起图形，所述凸起图形与所述沟槽之间具有平台阶。
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