[发明专利]一种具有能带梯度分布的铜铟铝硒(CIAS)薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310229778.5 申请日: 2013-06-09
公开(公告)号: CN103325886B 公开(公告)日: 2017-07-18
发明(设计)人: 徐东;徐永清;杨杰 申请(专利权)人: 徐东
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 深圳中一专利商标事务所44237 代理人: 张全文
地址: 518000 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明适用于光伏新能源材料技术领域,提供了一种具有能带梯度分布的铜铟铝硒薄膜的制备方法。该方法包括以下步骤合成铜铟铝硫纳米颗粒;配制铜铟铝硫纳米晶墨水;铜铟铝硒前驱体预制膜的制备;铜铟铝硒薄膜的制备。本发明工艺简单,操作方便、成本低廉,能制备大面积均匀膜层,促进太阳能薄膜电池转换率的提高。
搜索关键词: 一种 具有 能带 梯度 分布 铜铟铝硒 cias 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种具有能带梯度分布的铜铟铝硒薄膜的制备方法,包括以下步骤:将铜源化合物、铝源化合物、铟源化合物、硫源和油胺混合,合成铜铟铝硫纳米颗粒,其中,铝、铟元素摩尔百分含量比为:0<铝/(铟+铝)<40%,所述铜铟铝硫纳米颗粒的合成温度为180‑280℃;将所述铜铟铝硫纳米颗粒分散在有机溶剂中,配制成铜铟铝硫纳米晶墨水;将所述铜铟铝硫纳米晶墨水涂敷在镀双层Mo的基体上,形成铜铟铝硒前驱体预制膜,其中,所述镀双层Mo的基体为依次沉积有纯Mo层和掺铝的Mo层的基体;将所述铜铟铝硒前驱体预制膜经过硒化、退火处理获得铜铟铝硒薄膜。
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