[发明专利]一种具有能带梯度分布的铜铟铝硒(CIAS)薄膜的制备方法有效
申请号: | 201310229778.5 | 申请日: | 2013-06-09 |
公开(公告)号: | CN103325886B | 公开(公告)日: | 2017-07-18 |
发明(设计)人: | 徐东;徐永清;杨杰 | 申请(专利权)人: | 徐东 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明适用于光伏新能源材料技术领域,提供了一种具有能带梯度分布的铜铟铝硒薄膜的制备方法。该方法包括以下步骤合成铜铟铝硫纳米颗粒;配制铜铟铝硫纳米晶墨水;铜铟铝硒前驱体预制膜的制备;铜铟铝硒薄膜的制备。本发明工艺简单,操作方便、成本低廉,能制备大面积均匀膜层,促进太阳能薄膜电池转换率的提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 能带 梯度 分布 铜铟铝硒 cias 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有能带梯度分布的铜铟铝硒薄膜的制备方法,包括以下步骤:将铜源化合物、铝源化合物、铟源化合物、硫源和油胺混合,合成铜铟铝硫纳米颗粒,其中,铝、铟元素摩尔百分含量比为:0<铝/(铟+铝)<40%,所述铜铟铝硫纳米颗粒的合成温度为180‑280℃;将所述铜铟铝硫纳米颗粒分散在有机溶剂中,配制成铜铟铝硫纳米晶墨水;将所述铜铟铝硫纳米晶墨水涂敷在镀双层Mo的基体上,形成铜铟铝硒前驱体预制膜,其中,所述镀双层Mo的基体为依次沉积有纯Mo层和掺铝的Mo层的基体;将所述铜铟铝硒前驱体预制膜经过硒化、退火处理获得铜铟铝硒薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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