[发明专利]一种银碳化钨触头合金的制备方法有效
| 申请号： | 201310229598.7 | 申请日： | 2013-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103290359A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 付翀;侯锦丽;王俊勃;杨敏鸽;贺辛亥;苏晓磊;刘松涛;胡新煜 | 申请（专利权）人： | 西安工程大学 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/22;H01H1/0233 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 罗笛 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种银碳化钨触头合金的制备方法，其工艺是通过真空等离子沉积设备将银碳化钨粉末直接沉积于铜触板或铜触桥表面，得到银碳化钨触头合金。通过此方法，可使合金中碳化钨的质量百分含量在60%范围内自由调节，并可简化银碳化钨触头合金的制备工艺，同时由于是在真空设备中制备，可显著提高银碳化钨工作层的致密度以及银碳化钨工作层与铜基体的结合强度。该制备方法的应用，对提高银碳化钨触头合金生产效率，降低制备成本，节约银资源具有重大意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化 钨触头 合金 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种银碳化钨触头合金的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1、制备银碳化钨粉末；步骤2、对铜触板或铜触桥基体材料进行粗化处理；步骤3、采用真空等离子沉积工艺进行沉积处理，将步骤1中制得的银碳化钨粉末沉积于经步骤2粗化处理的铜触板或铜触桥表面，制得银碳化钨触头合金。
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