[发明专利]大面积有机发光二极管显示器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种大面积有机发光二极管显示器及其制造方法。横跨显示器的第一和第二像素区域沉积光刻胶。通过剥离位于所述第一像素区域中的第一部分光刻胶而保留位于所述第二像素区域中的第二部分光刻胶，将所述光刻胶构图以产生图案化的光刻胶。在所述图案化的光刻胶上方横跨所述第一和第二像素区域沉积有机发光层。在所述有机发光层上方横跨所述第一像素区域和第二像素区域沉积电子传输层。通过剥离所述第二部分光刻胶去除位于所述第二像素区域中的部分有机发光层和电子传输层，同时保留位于所述第一像素区域中的部分有机发光层和电子传输层。

主权项

一种制造具有像素区域矩阵的有机发光二极管显示器的方法，所述像素区域矩阵至少包括第一像素区域和第二像素区域，所述方法包括：横跨所述第一像素区域和第二像素区域沉积公共空穴注入层；在所述公共空穴注入层上横跨所述第一像素区域和第二像素区域沉积光刻胶；通过剥离位于所述第一像素区域中的第一部分光刻胶而保留位于所述第二像素区域中的第二部分光刻胶，将所述光刻胶构图为图案化的光刻胶；横跨所述第一像素区域和第二像素区域沉积有机发光层，所述有机发光层沉积在位于所述第二像素区域中的图案化的光刻胶上方；在所述有机发光层上方横跨所述第一像素区域和第二像素区域沉积电子传输层；在所述有机发光层上方横跨所述第一像素区域和第二像素区域沉积阴极层；通过剥离所述第二部分光刻胶去除位于所述第二像素区域中的部分有机发光层、电子传输层和阴极层，同时保留位于所述第一像素区域中的部分有机发光层、电子传输层和阴极层；以及横跨所述第一像素区域和第二像素区域沉积公共阴极层。