[发明专利]半导体制造的微影方法无效
| 申请号： | 201310225879.5 | 申请日： | 2006-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN103345120A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 陈桂顺;林进祥;鲁定中 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种半导体制造的微影方法，包括进行一高精密微影制程，以提供至少一图案曝光制程于该基材层上，以及进行一低精密微影制程，以提供至少一图案曝光制程于该基材层上。第一曝光制程形成包括主动图案及虚设图案的图案。第二曝光制程去除虚设图案，借以形成主动图案于基材层上。该曝光制程可在任一步骤中完成，并且可包含额外曝光制程。该高精密微影制程可以是湿浸式微影制程，而该低精密微影制程可以是干式微影制程。此形成图案于基材上的方法可应用于制造更高密度的集成（积体）电路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体制造的微影方法，其特征在于，其包括以下步骤：提供一图案，该图案包含一主动图案以及一虚设图案；进行一高精密微影制程，以提供至少一第一曝光制程于一基材层上，其中该第一曝光制程在该基材层上形成该图案；以及进行一低精密微影制程，以提供至少一第二曝光制程于该基材层上，其中该第二曝光制程移除该虚设图案，借以在该基材层上形成该主动图案。
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