[发明专利]一种硅片热处理反应管及硅片热处理方法有效
| 申请号： | 201310224658.6 | 申请日： | 2013-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN103290483A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 孙少东 | 申请（专利权）人： | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 韩国胜 |
| 地址： | 100015 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及硅片生产技术领域，特别涉及一种硅片热处理反应管，包括管壁和由其围成的管腔，所述管腔用于放置待热处理的硅片，一侧的所述管壁内设有使外部大气与所述管腔相连通的进气通道，另一侧的所述管壁内设有使外部大气与所述管腔相连通的出气通道。本发明还涉及一种使用该硅片热处理反应管的硅片热处理方法。本发明的有益效果是将反应管由端部进气改为侧面进气，改善了反应管内工艺气体流场的分布，尤其是使得反应管两端的工艺气体的分布差别更小，即管腔内的工艺气体分布更加均衡；最终使得工艺硅片都能够最大限度的同等地接触反应气体，从而形成较为均匀的膜厚。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 热处理 反应 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片热处理反应管，包括管壁和由其围成的管腔，所述管腔用于放置待热处理的硅片，其特征在于：一侧的所述管壁内设有使外部大气与所述管腔相连通的进气通道，另一侧的所述管壁内设有使外部大气与所述管腔相连通的出气通道。
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