[发明专利]晶体管的形成方法

摘要

一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底，衬底具有第一有源区和第二有源区，第一有源区和第二有源区的类型相反；在衬底上形成具有第一伪栅沟槽和第二伪栅沟槽的层间介质层，第一伪栅沟槽位于第一有源区，第二伪栅沟槽位于第二有源区；形成栅介质层，栅介质层覆盖层间介质层、第一伪栅沟槽的侧壁和底部、第二伪栅沟槽的侧壁和底部；在栅介质层上形成功函数层、位于功函数层上的帽层；形成图形化的光刻胶层；刻蚀去除第二伪栅沟槽中的功函数层和帽层；去除图形化的光刻胶层，之后，刻蚀去除层间介质层上、第一伪栅沟槽中的帽层；在第一伪栅沟槽中形成栅极。帽层用于避免去除图形化的光刻胶层时功函数层遭到损伤，保证功函数层的完整性。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和第二有源区的类型相反；在所述衬底上形成具有第一伪栅沟槽和第二伪栅沟槽的层间介质层，所述第一伪栅沟槽位于所述第一有源区，所述第二伪栅沟槽位于第二有源区；形成栅介质层，所述栅介质层覆盖所述层间介质层、第一伪栅沟槽的侧壁和底部、第二伪栅沟槽的侧壁和底部；在所述栅介质层上形成功函数层，在所述功函数层上形成帽层；在所述帽层上形成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀去除第二伪栅沟槽中的功函数层和帽层；去除所述图形化的光刻胶层，之后，刻蚀去除所述层间介质层上、第一伪栅沟槽中的帽层；刻蚀去除第一伪栅沟槽中的帽层之后，在第一伪栅沟槽中形成栅极。