[发明专利]测试键结构及监测刻蚀工艺中接触孔刻蚀量的方法

摘要

本发明公开了一种测试键结构及监测刻蚀工艺中接触孔刻蚀量的方法，本发明在测试键结构中增加一第二测试键结构，且在该第二测试键结构上设置至少三个接触孔，通过比较分析第一测试键的电阻值和第二测试键的电阻值的差值，能够在线有效的监测接触孔刻蚀量，从而克服了现有技术中由于未能精确监控接触孔的刻蚀量，而导致的半导体器件良率降低的问题，也克服了当发现电学性能差，只能采用切片的方式以至破坏晶圆来分析观察的问题，进而降低了制造成本，且提高了生产效率。

主权项

一种测试键结构，应用于监测接触孔刻蚀量的量测工艺中，其特征在于，所述测试键结构包括第一测试键结构和第二测试键结构；所述第一测试键结构和所述第二测试键结构中均设置有至少一个接触孔区域；其中，位于所述第二测试键结构中所有接触孔区域的面积之和大于位于所述第一测试键结构中所有接触孔区域的面积之和。