[发明专利]有机氨基乙硅烷前体和包含该前体的薄膜沉积的方法

摘要

本文描述的是用于形成含硅薄膜的前体和方法。在一个方面中，存在如下式I的前体：其中R1和R3独立地选自直链或支链C3-C10烷基、直链或支链C3-C10烯基、直链或支链C3-C10炔基、C1-C6二烷基氨基、吸电子基团和C6-C10芳基；R2和R4独立地选自氢、直链或支链C3-C10烷基、直链或支链C3-C10烯基、直链或支链C3-C10炔基、C1-C6二烷基氨基、吸电子基团和C6-C10芳基；并且其中R1和R2、R3和R4、R1和R3或者R2和R4中的任一组、全部或没有一组连接在一起以形成环。

主权项

1.包含Si-N键、Si-Si键和Si-H₂基团的有机氨基乙硅烷前体，其由如下的式I表示：其中R¹和R³各自独立地选自直链或支链C₃-C₁₀烷基、直链或支链C₃-C₁₀烯基、直链或支链C₃-C₁₀炔基、C₁-C₆二烷基氨基、吸电子基团和C₆-C₁₀芳基；R²和R⁴各自独立地选自氢、直链或支链C₁-C₁₀烷基、直链或支链C₃-C₁₀烯基、直链或支链C₃-C₁₀炔基、C₁-C₆二烷基氨基、吸电子基团和C₆-C₁₀芳基；并且其中R¹和R²、R³和R⁴、R¹和R³或R²和R⁴中的任一组、全部或没有一组连接在一起以形成选自取代或未取代芳族环或者取代或未取代脂族环的环；条件是R¹、R²、R³和R⁴不是异丙基。