[发明专利]P型可逆相变高性能热电材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201310220037.0 | 申请日： | 2013-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN104211024A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 史迅;刘灰礼;陈立东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种P型可逆相变高性能热电材料及其制备方法，所述热电材料为掺杂I的硒化铜基热电材料，其化学组成为Cu2Se1-xIx，其中，0＜x≤0.08，优选0.04≤x≤0.08。本发明提供的热电材料化合物为半导体，相比于室温附近传统的碲化铋基热电材料，此化合物组成简单，原料廉价，成本低，在相变区域具较高的塞贝克系数和优异的电导率，同时具有低的热导率，热电优值（ZT值）在相变温度区附近可以达到1左右。 | ||
| 搜索关键词： | 可逆 相变 性能 热电 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种P型可逆相变高性能热电材料，其特征在于，所述热电材料的化学组成为Cu2Se1‑xIx，其中，0<x≦0.08。
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