[发明专利]一种透明导电氧化膜玻璃生产方法及镀膜装置有效
申请号: | 201310218725.3 | 申请日: | 2013-06-04 |
公开(公告)号: | CN103508679A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 邵景楚;候英兰;杨斌;兰明雄;徐海滨;沈阮顺;吴剑波;江亚聪;周炳元;郑崇;龙立华;易策明;谭桂平;凌爽;漆永红;沈辉松;张建辉;陈凌涵;许绣山;潘国委 | 申请(专利权)人: | 漳州旗滨玻璃有限公司;河源旗滨硅业有限公司 |
主分类号: | C03C17/23 | 分类号: | C03C17/23 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 李雁翔 |
地址: | 363000 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种透明导电氧化膜玻璃生产方法及镀膜装置。本发明的生产方法实现了透明导电氧化膜玻璃的在线生产,降低了生产成本;本发明在线透明导电氧化膜玻璃镀膜装置采用多槽镀膜机反应器和单槽镀膜机反应器的排列组合,进行镀膜精细化生产操作,解决镀膜宽板边部与中间由于温差易引起的膜层不均匀现象,获得大面积薄膜高效均匀沉积,其板宽可达3660mm的稳定生产,提高了产品质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 透明 导电 氧化 玻璃 生产 方法 镀膜 装置 | ||
【主权项】:
一种透明导电氧化膜玻璃的生产方法,其特征在于:包括如下步骤,在下述步骤中,浮法玻璃层处于锡槽中并被拉引的状态:(1)将有机锡化合物、有机硅化合物、有机磷化合物、惰性气体及氧气送入蒸发器形成第一阻挡层气相化合物,将该第一阻挡层气相化合物通过化学气相沉积法在680‑700℃的浮法玻璃层上形成第一阻挡层,即SnSiOx层,温度降至660‑680℃;(2)将有机硅化合物、有机磷化合物、惰性气体、氧气及水送入蒸发器形成第二阻挡层气相化合物,将该第二阻挡层气相化合物通过化学气相沉积法在步骤(1)所得的660‑680℃的第一阻挡层上形成第二阻挡层,即SiO2层,温度降至640‑670℃;(3)将有机锡化合物、三氟乙酸、氧气、水、惰性气体及甲醇送入蒸发器形成功能层气相化合物,将该功能层气相化合物通过化学气相沉积法在步骤(2)所得的640‑670℃的第二阻挡层上形成功能层,即SnO2:F层,退火后即得所述透明导电氧化膜玻璃。
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