[发明专利]单片集成HEMT和电流保护器件

摘要

本发明涉及单片集成HEMT和电流保护器件。一种晶体管器件包括高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）和保护器件。HEMT具有源极、漏极和栅极。HEMT当施加到栅极的电压超过HEMT的阈值电压时导通并且从源极向漏极传导电流。保护器件与HEMT单片集成，使得保护器件与HEMT共享源极和漏极并且进一步包括电连接到源极的栅极。保护器件当HEMT关断并且源极和漏极之间的反向电压超过保护器件的阈值电压时从漏极向源极传导电流。保护器件的阈值电压小于HEMT的阈值电压和用于关断HEMT的栅极电压的差。

主权项

一种晶体管器件，包括：高电子迁移率场效应晶体管（HEMT），所述HEMT具有源极、漏极和栅极，所述HEMT能够操作用于当施加到所述栅极的电压超过所述HEMT的阈值电压时导通并且从所述源极向所述漏极传导电流；以及保护器件，所述保护器件与所述HEMT单片集成，使得所述保护器件与所述HEMT共享所述源极和所述漏极并且进一步包括电连接到所述源极的栅极，所述保护器件能够操作用于当所述HEMT关断并且所述源极和所述漏极之间的反向电压超过所述保护器件的阈值电压时从所述漏极向所述源极传导电流，所述保护器件的阈值电压小于所述HEMT的阈值电压和用于关断所述HEMT的栅极电压的差。