[发明专利]高电压竖直功率部件

摘要

本发明公开了一种竖直功率部件，包括第一传导类型的硅衬底；在衬底的支撑单个电极的下表面侧上的第二传导类型的下层；和在衬底的支撑传导电极和栅极电极的上表面侧上的第二传导类型的上区域，其中，部件外围包括在下表面侧上，穿入衬底向下至比下层的深度的大深度的多孔硅绝缘环。

主权项

一种竖直功率部件，包括：第一传导类型的硅衬底；在所述衬底的支撑第二传导电极的下表面侧上的第二传导类型的下层；和在所述衬底的支撑第一传导电极和栅极电极的上表面侧上的第二传导类型的上区域，其中所述部件外围包括：在所述下表面侧上，穿入所述衬底至比所述下层的深度大的深度的多孔硅下绝缘环；以及在所述上表面侧上，穿入所述衬底向下至比所述上区域的深度大的深度的多孔硅上绝缘环，并且其中所述上绝缘环在所述下绝缘环前面竖直地停止，所述第二传导类型的中间环将所述上绝缘环的下边缘与所述下绝缘环的上边缘分开。