[发明专利]硅片激光退火设备的工件台装置在审
| 申请号： | 201310215266.3 | 申请日： | 2013-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN104217977A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 童宇锋;郑刚;刘国淦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司;上海微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/677 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片激光退火设备的工件台装置，包括工件台平面和三组以上接送柱，每组接送柱由两个以上小接送柱组合而成；工件台平面上对应小接送柱的位置开孔，作为小接送柱的升降通道。本发明通过缩小单个接送柱的直径，用多个小接送柱组成一个接送柱，从而在保证硅片传输安全性的同时，增加了退火时硅片背面的支撑范围，改善了硅片在退火时的碎片问题。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 激光 退火 设备 工件 装置 | ||
【主权项】：
硅片激光退火设备的工件台装置，其特征在于，包括工件台平面和三组以上接送柱，每组接送柱由两个以上小接送柱组合而成；工件台平面上对应小接送柱的位置开孔，作为小接送柱的升降通道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
