[发明专利]一种上转换太阳能电池及其制备方法无效
申请号: | 201310215219.9 | 申请日: | 2013-05-31 |
公开(公告)号: | CN103346203A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | 石强;李旺;陆威;韩玮智;牛新伟;蒋前哨;金建波;陆川;仇展炜 | 申请(专利权)人: | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/055 |
代理公司: | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 冯谱 |
地址: | 310053 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种上转换太阳能电池的制备方法,该方法包括如下步骤:在硅片的正面形成绒面;在所述硅片正面形成P-N结;在所述P-N结上形成减反膜;在所述硅片背面形成背电极/上转换器系统;在所述硅片正面形成正电极。相应的,本发明还提供一种上转换太阳能电池,所述上转换太阳能电池由下至上依次包括:背电极/上转换器系统、硅片、P-N结、绒面、减反膜、正电极;所述背电极/上转换器系统由含有金属颗粒、无机玻璃料、有机载体和上转换材料的导电浆料制成。本发明提供的制备方法能在不改变太阳能电池基体材料禁带宽度的情况下,通过改变部分光子的波长,将原来不能用于光电转换的光子加以利用,以大大提高太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 转换 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种上转换太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:a)在硅片的正面形成绒面;b)在所述硅片正面形成P‑N结;c)在所述P‑N结上形成减反膜;d)在所述硅片背面形成背电极/上转换器系统;e)在所述硅片正面形成正电极。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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