[发明专利]晶体硅异质结太阳能电池的制备方法有效
| 申请号： | 201310212499.8 | 申请日： | 2013-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103311366A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 熊光涌;王栩生;章灵军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/20 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;陆金星 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅异质结太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)清洗、腐蚀制绒；(2)将硅片的正面进行Si离子和B离子注入，在正面形成本征非晶硅薄膜；在硅片的背面进行Si离子和B离子注入，在背面形成本征非晶硅薄膜；(3)对硅片正反面的本征非晶硅薄膜进行回刻；(4)在硅片正面沉积p型掺杂的非晶硅薄膜层；(5)在硅片反面沉积n型重掺杂的非晶硅薄膜层；(6)在硅片的正反两面设置透明导电薄膜层；(7)丝网印刷、烧结在硅片表面制备金属电极。本发明获得了高质量的晶体硅异质结太阳能电池，形成了高质量的非晶硅薄膜层和极少缺陷的一体化的晶硅、非晶硅异质结叠加界面，提高了钝化效果并有效地降低了漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 硅异质结 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 将N型单晶硅硅片进行表面化学清洗、腐蚀制绒；(2) 将上述硅片的正面进行Si离子和B离子注入，在正面形成一层本征非晶硅薄膜；在硅片的背面进行Si离子和B离子注入，在背面形成一层本征非晶硅薄膜；(3) 对上述硅片正反面的本征非晶硅薄膜进行回刻；(4) 在上述硅片正面沉积p型掺杂的非晶硅薄膜层；(5) 在上述硅片反面沉积n型重掺杂的非晶硅薄膜层；(6) 在上述硅片的正反两面设置透明导电薄膜层；(7) 丝网印刷、烧结在硅片表面制备金属电极，即可得到晶体硅异质结太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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