[发明专利]浅沟槽的制作方法

摘要

本申请提供了一种浅沟槽的制作方法。该制作方法包括步骤S1，将表面具有介质层的衬底划分为存储单元区和逻辑电路区；步骤S2，在掩膜的保护下，在存储单元区刻蚀形成第一浅沟槽，在逻辑电路区刻蚀形成预形成槽，预形成槽宽度大于第一浅沟槽的宽度；步骤S3，在存储单元区和逻辑电路区形成牺牲层，其中，存储单元区的牺牲层填充第一浅沟槽，逻辑电路区的牺牲层与预形成槽形成共形台阶覆盖结构；以及步骤S4，将预形成槽刻蚀形成第二浅沟槽，并去除牺牲层。经过一次对准刻蚀形成第一浅沟槽和预形成槽，提高了浅沟槽的开口大小的精准度；牺牲层取代了保护第一浅沟槽的掩膜层，而且其去除过程与第二浅沟槽继续刻蚀同时进行，简化了制作流程。

主权项

一种浅沟槽的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：步骤S1，将表面具有介质层的衬底划分为存储单元区和逻辑电路区；步骤S2，在掩膜的保护下，在所述存储单元区刻蚀形成第一浅沟槽，在所述逻辑电路区刻蚀形成预形成槽，所述预形成槽宽度大于所述第一浅沟槽的宽度；步骤S3，在所述存储单元区和所述逻辑电路区形成牺牲层，其中，所述存储单元区的牺牲层填充所述第一浅沟槽，所述逻辑电路区的牺牲层与所述预形成槽形成共形台阶覆盖结构；以及步骤S4，将所述预形成槽刻蚀形成第二浅沟槽，并去除所述牺牲层，所述步骤S4还包括：步骤S41，刻蚀去除所述共形台阶覆盖结构；步骤S42，沿所述预形成槽的侧壁对所述衬底刻蚀以形成所述第二浅沟槽，所述衬底的选择比与所述牺牲层的选择比的比值大于2:1；步骤S43，去除所述第一浅沟槽内的牺牲层。