[发明专利]应变超晶格隧道结紫外LED外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201310193364.1 | 申请日： | 2013-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN103337568A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 云峰;王越;黄亚平;田振寰;王宏 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种应变超晶格隧道结紫外LED外延结构及其制备方法，外延结构自上而下为：外延生长衬底，AlN缓冲层、n型AlGaN层、多层量子阱、电子阻挡层、应变超晶格、n型简并掺杂AlGaN层、n型Si掺杂AlGaN层；应变超晶格包括p型AlGaN层及AlyGa1-yN/AlxGa1-xN。AlGaN的能带在极化电场的作用下整体向低能量方向移动，超晶格结构再与重掺杂的n型AlGaN接触后形成p-AlGaN/SSL/n*-AlGaN隧道结，p型AlGaN价带中的电子在外电场的作用下，通过隧道效应隧穿到n型AlGaN一侧，在p型AlGaN形成空穴。表层材料由p型AlGaN变为n-AlGaN，避免了p型欧姆接触的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 晶格 隧道 紫外 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种应变超晶格隧道结紫外LED外延结构，其特征在于：包括：外延生长衬底（1），以及依次生长在外延生长衬底上的AlN缓冲层（2）、n型AlGaN层（3）、周期性多层量子阱（4）、电子阻挡层（5）、应变超晶格（6）、n型简并掺杂AlGaN层（7）、n型Si掺杂AlGaN帽层（8）；其中，所述应变超晶格（6）包括p型AlGaN层以及在其上继续生长的单层或多层AlyGa1‑yN/AlxGa1‑xN，其中，y>x>0.65。
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