[发明专利]用于磁共振成像系统的涡流补偿方法有效
申请号: | 201310193344.4 | 申请日: | 2013-05-23 |
公开(公告)号: | CN104181479A | 公开(公告)日: | 2014-12-03 |
发明(设计)人: | 蔡昆玉;林时顷;张强;黄文慧;贾二维 | 申请(专利权)人: | 上海联影医疗科技有限公司 |
主分类号: | G01R33/387 | 分类号: | G01R33/387 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 201815 上海市嘉*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种用于磁共振成像系统的涡流补偿方法,包括以下步骤:建立涡流一阶残留场及高阶场模型;利用磁共振成像系统,对样品施加涡流测量序列以获得梯度磁场产生的第一涡流场,由所述第一涡流场对所述涡流一阶残留场及高阶场模型中的校正参数进行拟合,从而得到标定的涡流一阶残留场及高阶场模型;在实际测试时,利用标定的涡流一阶残留场及高阶场模型对重建的图像进行校正。该方法利用涡流一阶残留场及高阶场模型对重建的图像进行校正,提高了图像质量。 | ||
搜索关键词: | 用于 磁共振 成像 系统 涡流 补偿 方法 | ||
【主权项】:
一种用于磁共振成像系统的涡流补偿方法,其特征在于,包括以下步骤:a.建立涡流一阶残留场及高阶场模型;b.利用磁共振成像系统,对样品施加涡流测量序列以获得梯度磁场产生的第一涡流场,由所述第一涡流场对所述涡流一阶残留场及高阶场模型中的校正参数进行拟合,从而得到标定的涡流一阶残留场及高阶场模型;c.在实际测试时,利用上述标定的涡流一阶残留场及高阶场模型对重建的图像进行校正。
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