[发明专利]CMOS图像传感器、像素单元及其控制方法有效
| 申请号： | 201310183417.1 | 申请日： | 2013-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN103259985A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 罗文哲;王林;汪立 | 申请（专利权）人： | 昆山锐芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市昆山市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种CMOS图像传感器、像素单元及其控制方法，所述像素单元包括光电转换单元、隔离晶体管、存储单元和读取单元。所述隔离晶体管的第一端连接所述光电转换单元，所述隔离晶体管的第二端连接所述存储单元和读取单元；所述存储单元包括第一开关单元、第二开关单元、第一存储电容、第二存储电容和复位单元，所述第一开关单元的第一端连接所述第一存储电容，所述第二开关单元的第一端连接所述第二存储电容，所述第一开关单元的第二端连接所述第二开关单元的第二端和所述读取单元，所述复位单元适于提供所述第一存储电容和第二存储电容的复位电压。本发明技术方案提供的CMOS图像传感器的像素单元，提高了像素单元产生的图像信号的信噪比。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 像素 单元 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器的像素单元，其特征在于，包括：光电转换单元、隔离晶体管、存储单元和读取单元；所述隔离晶体管的第一端连接所述光电转换单元，所述隔离晶体管的第二端连接所述存储单元和读取单元，所述隔离晶体管的第一端和第二端分别为晶体管的源极和漏极；所述存储单元包括第一开关单元、第二开关单元、第一存储电容、第二存储电容和复位单元，所述第一开关单元的第一端连接所述第一存储电容并适于控制所述第一存储电容的充放电，所述第二开关单元的第一端连接所述第二存储电容并适于控制所述第二存储电容的充放电，所述第一开关单元的第二端连接所述第二开关单元的第二端和所述读取单元，所述复位单元适于提供所述第一存储电容和第二存储电容的复位电压。
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