[发明专利]闪存存储器栅极结构、制备方法及其应用

摘要

本发明提供一种闪存存储器栅极结构、制备方法及其应用,与现有技术形成等宽的栅极结构相比较，采用本发明的制备方法形成的栅极结构包括具有第一宽度的控制栅以及具有第二宽度的浮栅，其中，第二宽度大于第一宽度，换言之，本发明在未改变浮栅关键尺寸的同时，减小了控制栅的关键尺寸，从而使本发明在保证闪存存储器性能几乎不受影响的前提下，进一步增加了控制栅与接触孔之间的距离，从而降低闪存存储器中字线与位线之间产生意外导通的几率，提高闪存存储器在循环操作中的有效性，增加闪存存储器的制备良率和可靠性。

主权项

一种闪存存储器栅极结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：1）在自下向上依次形成有隧穿氧化材料层、浮栅材料层、阻挡氧化材料层、控制栅材料层及硬掩膜的半导体衬底上，对硬掩膜和控制栅材料层进行干法刻蚀，形成依次位于阻挡氧化材料层上的具有第一宽度的控制栅和硬掩膜； 2）在所述控制栅和硬掩膜的两侧形成第一侧墙结构；3）以所述的第一侧墙结构和硬掩膜为掩膜，依次干法刻蚀阻挡氧化材料层和浮栅材料层直至暴露所述隧穿氧化材料层，以形成位于所述控制栅下的均具有第二宽度的阻挡氧化层及浮栅，以形成闪存存储器的栅极结构，其中，所述第二宽度大于第一宽度，被保留的第一侧墙结构作为控制栅侧墙结构。