[发明专利]带电粒子束透镜无效
| 申请号： | 201310168505.4 | 申请日： | 2013-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103426707A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 盐泽崇史 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/12 | 分类号： | H01J37/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 杨小明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种带电粒子束透镜。带电粒子束透镜包括板状阳极、板状阴极和设置在阳极与阴极之间的绝缘体。绝缘体、阳极和阴极具有带电束从其中通过的通道部分。高电阻膜在绝缘体的形成通道部分的内侧面或绝缘体的最外侧面上形成，并且，阳极和阴极通过高电阻膜被电连接在一起。阳极和高电阻膜、阴极和高电阻膜分别包含相同的金属或半导体元素并具有不同的电阻值。这抑制由于阳极和阴极与高电阻膜之间的界面处或导电膜与高电阻膜之间的界面处的电阻增加和连接不良导致的电场集中，由此抑制放电的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 带电 粒子束 透镜 | ||
【主权项】：
一种带电粒子束透镜，包括：至少一个板状阳极；至少一个板状阴极；和设置在所述阳极与所述阴极之间的至少一个绝缘体，其中，所述绝缘体、所述阳极和所述阴极具有带电束从其中通过的至少一个通道部分，其中，高电阻膜被形成在所述绝缘体的形成所述通道部分的内侧面和所述绝缘体的最外侧面中的至少一个上；所述阳极和所述阴极通过所述高电阻膜被电连接在一起，并且，所述阳极和所述高电阻膜、所述阴极和所述高电阻膜分别包含相同的金属或半导体元素并具有不同的电阻值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能株式会社，未经佳能株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310168505.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于在未掩蔽区域和预先掩蔽区域处加工晶片的方法
- 下一篇：表面安装电感器
