[发明专利]用于高深宽比填充的半导体反流处理有效
| 申请号： | 201310150489.6 | 申请日： | 2013-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN103426816B | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 伊斯梅尔·T·埃迈什;罗伯特·C·林克 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国,赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于高深宽比填充的半导体反流处理，一种用于至少部分填充工件上的部件的方法包括以下步骤获得包括部件的工件，所述部件具有在约10到约80的范围内的高深宽比；将第一共形导电层沉积在部件中；和热处理工件以使第一共形导电层在部件中反流。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高深 填充 半导体 处理 | ||
【主权项】：
一种用于至少部分填充工件上的部件的方法，所述方法包括以下步骤：(a)获得包括部件的工件，所述部件具有在10到80的范围内的高深宽比；(b)将第一共形导电层电化学沉积在所述部件中；(c)热处理所述工件以使所述第一共形导电层在250℃到350℃的温度范围内反流到所述部件中，以便以反流的导电层至少部分地填充所述部件；(d)在所述反流的第一共形导电层之后电化学沉积第二共形导电层；和(e)热处理所述工件以使所述第二共形导电层反流到所述部件中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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