[发明专利]一种集成肖特基分裂栅型沟槽功率MOS器件

摘要

本发明涉及沟槽功率MOS器件的版图设计领域，特别涉及一种用七次光刻来实现集成肖特基分裂栅型沟槽功率MOS器件。本发明包括P-离子注入掩膜版，沟槽刻蚀掩膜版，保护栅结构回刻蚀阻挡掩膜版，P+离子注入掩膜版，电极接触孔掩膜版，金属分离刻蚀掩膜版，光刻压焊点掩膜版。由单个台面结构边缘向内依次是电极接触孔掩膜版、P-离子注入掩膜版、P+离子注入掩膜版。N+离子注入与P-离子注入共用同一掩膜版，减少掩膜版的制作成本。器件内的台面结构由沟槽结构包围，且台面结构为规则条状结构，从而降低因台面结构复杂而因此的电场集中效应，从而提升器件的整体击穿电压。

主权项

一种集成肖特基分裂栅型沟槽功率MOS器件，包括P‑离子注入掩膜版，沟槽刻蚀掩膜版，保护栅结构回刻蚀阻挡掩膜版，P+离子注入掩膜版，电极接触孔掩膜版，金属分离刻蚀掩膜版，光刻压焊点掩膜版。由单个台面结构边缘向内依次是电极接触孔掩膜版、P‑离子注入掩膜版、P+离子注入掩膜版，且沟槽刻蚀掩膜版包围P‑离子注入掩膜版，P‑离子注入掩膜版包围P+离子注入掩膜版，金属分离刻蚀掩膜版和保护栅结构回刻蚀阻挡掩膜版包含于沟槽刻蚀掩膜版之中，光刻压焊点掩膜版位于有源区上方，其特征在于：集成肖特基分裂栅型沟槽功率MOS器件由各层掩膜版叠加组成，N+离子注入与P‑离子注入共用同一掩膜版；版图中加入P+离子注入掩膜版。