[发明专利]银纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底及其制备方法有效
| 申请号： | 201310131120.0 | 申请日： | 2013-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN103257132A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 付群;雷勇;王沙沙;周懿;张鸿超;雷波;林伟;吴明红 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 陆聪明 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种银纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底及其制备方法。该基底是在硅单晶衬底粘附有一层具有有序银纳米帽阵列结构的银薄膜；该银薄膜的厚度为：80～150nm；所述的银纳米帽为隆起的中心带孔的泡状结构，直径为30～95nm，相邻两纳米帽中心距为100～110nm。本发明提供的银纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底形貌均一，结构可控，对于不同浓度的分析物具有显著的表面拉曼增强效果，增强因子可达109，且增强信号均一稳定。本发明方法，可以根据超薄氧化铝模板的结构参数和金属沉积过程调节银纳米帽的结构参数和形貌，实现金属纳米帽阵列基底参数对拉曼表面增强效果的可调可控。具有操作简单，成本低，易于批量生产，不同批次间可重复性高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 表面 增强 活性 基底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种银纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底，其特征在于该基底是在硅单晶衬底粘附有一层具有有序银纳米帽阵列结构的银薄膜；该银薄膜的厚度为：80～150 nm；所述的银纳米帽为隆起的中心带孔的泡状结构，直径为30～95 nm，相邻两纳米帽中心距为100～110 nm。
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