[发明专利]具有高热稳定性的AlGaN/GaN HEMT制造法

摘要

本发明是一种具有高热稳定性的AlGaN/GaNHEMT制造方法，其特征是AlGaN/GaNHEMT的栅电极采用了肖特基栅结构，其肖特基栅电极由势垒金属层和栅帽金属层构成，其中势垒金属层从势垒层表面开始依次由WN金属层和W金属层构成，栅帽金属层包括Ti/Pt/Au/Ti、Ti/Pt/Au/Pt/Ti和Ti/Pt/Au/Ni多层金属体系；栅电极还采用凹槽栅形式的肖特基栅结构，其肖特基栅电极同样由势垒金属层和栅帽金属层构成，其不同点在于与势垒金属层接触的势垒层的部分被去除后在势垒层中形成了一个凹槽。优点：在于容易制造实现，所制造的器件具有更好的耐温度特性，满足更高温度工作的需要。

主权项

一种具有高热稳定性的AlGaN/GaN HEMT制造方法，其特征在于：在AlGaN/GaN HEMT采用的外延材料的势垒层上淀积金属层作为器件源电极和漏电极，通过高温合金使得源电极和漏电极与半导体外延材料形成欧姆接触；源电极、漏电极以及势垒层的表面上淀积介质层；该介质层上涂覆光刻胶层并通过光刻的方法在器件源电极和漏电极之间的光刻胶层中定义一窗口；利用光刻胶层作为掩膜去除窗口中的介质层并去除光刻胶层得到介质层中通向势垒层表面的栅脚窗口；在介质层、栅脚窗口的侧壁以及栅脚窗口底部中势垒层的表面依次淀积WN金属层和W金属层得到势垒金属层；在势垒金属层上涂覆光刻胶层，通过光刻、显影在刻胶层中定义完全覆盖栅脚窗口的栅帽窗口；蒸发栅帽金属层到栅帽窗口的底部、侧壁以及光刻胶层的表面；剥离去除光刻胶层及其上的金属层，只留下窗口中的栅帽金属层；利用所述的栅帽金属层作为掩膜大面积刻蚀去除除前述留下的栅帽金属层下面的势垒金属层以外的势垒金属层。