[发明专利]一种硅片单面膜层的去除方法无效
| 申请号： | 201310096925.6 | 申请日： | 2013-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104078348A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 刘金升;郑晔 | 申请（专利权）人： | 苏州晶洲装备科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215500 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片单面膜层的去除方法，包括以下步骤：A、使用保护介质将待处理硅片不需要去除膜层的正面覆盖，确保硅片正面不受腐蚀；B、将步骤A的硅片置于具有腐蚀性蒸汽的环境中，利用蒸汽将硅片背面的待去除膜层腐蚀去除；C、采用去离子水对步骤B中腐蚀后的硅片进行清洗。本发明与现有技术相比的优点是：溶液用量小，成本低，污染少；与传统浸入溶液腐蚀方法相比，气体腐蚀对正面保护层要求低，正面保护层制作简单，而且容易去除；本方法更容易实现流水线作业，产量高；对设备机械精度容忍度很高，节约了设备制造成本，同时工艺稳定，容易控制。本发明适用性广，适合各种规格硅片上多种膜层的单面去除。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 面膜 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片单面膜层的去除方法，其特征在于：包括以下步骤：A、使用保护介质将待处理硅片不需要去除膜层的正面覆盖，确保硅片正面不受腐蚀；B、将步骤A的硅片置于具有腐蚀性蒸汽的环境中，利用蒸汽将硅片背面的待去除膜层腐蚀去除；C、采用去离子水对步骤B中腐蚀后的硅片进行清洗。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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