[发明专利]有电流测量单元的集成功率晶体管电路装置及其制造方法

摘要

集成功率晶体管电路装置包括具有第一部段（310）和第二部端（320）的接触结构（300）。第一部段（310）在单元区（500）中与晶体管单元（100）的掺杂区域（112）相接触。第二部段（320）包括一个或者多个第一子部段（321），第一子部段连接第一部段（310）并且自身在选择的晶体管单元的区域中经过单元区（500）向外延伸。第二子部段（322）连接第一子部段（321）并且设计类似用于将源极区域与功率晶体管单元连接的分接导线。在单元区（500）的区域中，电极结构位于接触结构上，在第二部段（320）的上方缺少该电极结构。由此分接导线与电极结构间距狭窄地设计，从而通过分接导线仅仅略微减少有效的芯片面积。

主权项

一种集成功率晶体管电路装置，其特征在于，至少一个布置在单元区（500）中的晶体管单元（100），所述晶体管单元具有掺杂区域（110），所述掺杂区域形成在半导体基底（190）中，并且在所述半导体基底（190）的第一侧上邻接于第一表面（101）；电极结构，所述电极结构在所述半导体基底（190）的所述第一侧上形成在所述单元区（500）垂直于所述第一表面（101）的投影中；并且接触结构（300），所述接触结构形成在所述半导体基底（190）的所述第一侧上，并且与所述掺杂区域（110）和所述电极结构导电连接，其中，所述接触结构（300）具有在所述电极结构和所述半导体基底（190）之间的第一部段（310）以及在所述单元区（500）外部的第二部段（320），并且所述第二部段（320）利用接口结构连接所述第一部段（310）。