[发明专利]芯片装置及形成芯片装置的方法有效
| 申请号： | 201310092861.2 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103367321A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 安东·普吕克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/498;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李静;张云肖 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提供了一种芯片装置及形成芯片装置的方法。所述芯片装置包括：与第一芯片载体顶侧电连接的第一芯片；与第二芯片载体顶侧电连接的第二芯片；被配置为至少部分地环绕第一芯片载体和第二芯片载体的电绝缘材料；被配置为穿过电绝缘材料使第一芯片与第二芯片电接触的至少一个电互连器；形成在第一芯片载体顶侧和第二芯片载体顶侧中的至少一个上并与其电接触的一个或多个第一导电部分；以及形成在第一芯片载体底侧和第二芯片载体底侧中的至少一个上并与其电接触的一个或多个第二导电部分。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片装置，包括：第一芯片载体，其包括第一芯片载体顶侧和第一芯片载体底侧；第二芯片载体，其包括第二芯片载体顶侧和第二芯片载体底侧；第一芯片，与所述第一芯片载体顶侧电连接；第二芯片，与所述第二芯片载体顶侧电连接；电绝缘材料，被配置为至少部分地环绕所述第一芯片载体和所述第二芯片载体；至少一个电互连器，被配置为穿过所述电绝缘材料使所述第一芯片与所述第二芯片电接触；以及一个或多个第一导电部分和一个或多个第二导电部分，形成在所述电绝缘材料上，其中，所述一个或多个第一导电部分形成在所述第一芯片载体顶侧和所述第二芯片载体顶侧中的至少一个上并与其电接触，并且其中，所述一个或多个第二导电部分形成在所述第一芯片载体底侧和所述第二芯片载体底侧中的至少一个上并与其电接触。
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