[发明专利]去除有机硅中金属离子的方法有效
| 申请号： | 201310090688.2 | 申请日： | 2013-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103145752A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 徐志国;杜丽萍;袁京;胡文敬;张黎明;王万军;姜标 | 申请（专利权）人： | 上海中科高等研究院;上海爱默金山药业有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/21 | 分类号： | C07F7/21 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种去除有机硅中金属离子的方法。根据本发明的方法，先将待提纯的有机硅与预定比例的金属络合剂混合形成混合物，随后再将所述混合物预热后进行精馏，并将精馏后的轻组分冷凝以获得高纯有机硅，由此可有效去除有机硅，尤其是环聚硅氧烷中K，Na等金属离子，使环聚硅氧烷中金属杂质含量达到CMOS级。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 有机硅 金属 离子 方法 | ||
【主权项】：
一种去除有机硅中金属离子的方法，其特征在于，所述去除有机硅中金属离子的方法至少包括：1）将待提纯的有机硅与预定比例的金属络合剂混合形成混合物；2）将所述混合物预热后进行精馏，并将精馏后的轻组分冷凝以获得高纯有机硅。
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