[发明专利]DRAM中非均匀分布冗余的修复方法有效
| 申请号： | 201310088672.8 | 申请日： | 2013-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103198870A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 王帆 | 申请（专利权）人： | 西安华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 陈广民 |
| 地址： | 710055 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种DRAM中非均匀分布冗余的修复方法。包括步骤：1.制作非均匀分布冗余的DRAM修复文件；2.虚拟冗余强制失效处理；3完成DRAM中非均匀分布冗余的修复。本发明提供了一种简洁、提高准确度、提高设计灵活性的DRAM中非均匀分布冗余的修复方法。 | ||
| 搜索关键词： | dram 中非 均匀分布 冗余 修复 方法 | ||
【主权项】：
一种DRAM中非均匀分布冗余的修复方法，其特征在于：包括以下步骤：1】制作非均匀分布冗余的DRAM修复文件1.1]在无真实字线冗余分布的区域中加入虚拟字线冗余使该区域内的冗余呈均匀分布态；1.2]再将步骤1.1中加入虚拟字线冗余的区域与真实冗余区域内的真实字线冗余结合，制作DRAM修复文件；2】虚拟冗余强制失效处理DRAM修复文件制作完成后，对步骤1.1中加入的虚拟字线冗余进行处理，使虚拟冗余失效；3】完成DRAM中非均匀分布冗余的修复。
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